BFP420H6327XTSA1 インフィニオン NPN シリコンRFトランジスタ
部分番号:BFP420H6327XTSA1
製品概要:についてBFP420H6327XTSA1高性能なNPN RFトランジスタこのコンポーネントは,低騒音値,高増幅,コンパクトパッケージでの高速性能を必要とするアプリケーションのために設計されています.
主要な特徴:
- タイプ: NPN RFトランジスタ
- トランジション周波数 (ft): 25 GHz
- 騒音値 (NF): 02GHzで0.75 dB
- 増量 (Gmax): 1.8 GHz で 21 dB
- コレクター・エミッター電圧 (Vce): 2V
- コレクター電流 (Ic): 20mA
- パッケージタイプ: SOT-343
- 電力分散 (Ptot): 150mW
- 動作温度範囲: -65°Cから+150°C
- 準拠性 RoHS に準拠する
適用分野:
- 低騒音増幅器:低ノイズ値により低ノイズアンプ回路で使用するのに理想的です.
- 高周波オシレーター:通信システムにおける高周波オシレーター用途に適しています.
- RF増幅器:信号増幅のためにRF増幅回路で使用される.
- 電気通信:通信機器やシステムで信頼性の高いパフォーマンスを提供します
- 試験・測定装置:試験機器で正確で正確な測定を保証する.
設置と使用:
についてBFP420H6327XTSA1SOT-343 パッケージは,コンパクトな表面マウント技術 (SMT) を印刷回路板 (PCB) にマウントすることを可能にします.性能 と 信頼性 を 最大限 に 高める ため に,適切に 操作 し,設置 する こと が 必要 です.
BFP420H6327XTSA1を選択する理由:
選択するBFP420H6327XTSA1使用していることを確認します.高品質のNPNRFトランジスタと優れた性能と信頼性このコンポーネントは,あなたの電子システムの効率性と機能性を向上させ,低騒音,高い利益そして高速性能.
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連絡先:
詳細情報や技術サポートについては,インフィニオン・テクノロジーズのウェブサイトを訪れ,または顧客サービスチームに連絡してください.彼らは,あなたが必要とするすべての問い合わせやサポートであなたを助けるために利用できます.
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IRF9328TRPBF インフィニオン シングルPチャネルHEXFET パワーMOSFET
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IRFR220NTRPBF インフィニオン シングルNチャネルIR MOSFET
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IRFR9120NTRPBF インフィニオン シングルPチャネルIR MOSFET
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IRLML2060TRPBF インフィニオン シングルNチャネルヘックスフェット パワーモスフェット
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IRF540NSTRRPBF インフィニオン IR MOSFET 100 V D2PAK パッケージ
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IRF9328TRPBF インフィニオン シングルPチャネルHEXFET パワーMOSFET |
IRF9328TRPBF IRF9328 30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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IRFR220NTRPBF インフィニオン シングルNチャネルIR MOSFET |
IRFR220NTRPBF IRFR220N 200V Single N-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
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IRFR9120NTRPBF インフィニオン シングルPチャネルIR MOSFET |
IRFR9120NTRPBF IRFR9120N 100V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
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IRLML2060TRPBF インフィニオン シングルNチャネルヘックスフェット パワーモスフェット |
IRLML2060TRPBF IRLML2060 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package
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IRF540NSTRRPBF インフィニオン IR MOSFET 100 V D2PAK パッケージ |
IRF540NSTRRPBF IRF540NS 100V33A IR MOSFET
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