IRFR9120NTRPBF インフィニオン シングルPチャネルIR MOSFET
部分番号: IRFR9120NTRPBF
製品概要:についてIRFR9120NTRPBF高性能なPチャネルMOSFETこのコンポーネントは,効率的なスイッチ,低電阻,コンパクトなパッケージで高速性能を必要とするアプリケーションのために設計されています.
主要な特徴:
- タイプ: PチャネルMOSFET
- 排気源電圧 (Vds): -100V
- 連続流出電流 (Id): -7.7A
- ゲートスリージングル電圧 (Vgs ((th)): -2Vから-4V
- ゲート・ソース最大電圧 (Vgs): ±20V
- オンレジスタンス (Rds ((オン)): 0.47Ω Vgs = -10V
- 総ゲートチャージ (Qg): 52nC
- パッケージタイプ: DPAK (TO-252)
- 動作温度範囲: -55°Cから+150°C
- 準拠性 RoHS に準拠する
適用分野:
- アプリケーションを切り替える:高速スイッチ回路で使用するのに最適です.
- 負荷スイッチ:低電阻と効率的な負荷切り替えを必要とするアプリケーションに適しています.
- DC-DCコンバーター:効率の向上のために電源変換回路で使用されます
- モータードライブ:モーター制御アプリケーションで信頼性の高いパフォーマンスを提供します
- バッテリー管理:バッテリー駆動デバイスの効率的なバッテリー使用と保護を保証します.
設置と使用:
についてIRFR9120NTRPBFDPAK (TO-252) パッケージは,コンパクトな表面マウント技術 (SMT) を印刷回路板 (PCB) にマウントすることを可能にします.性能 と 信頼性 を 最大限 に 高める ため に,適切に 操作 し,設置 する こと が 必要 です.
IRFR9120NTRPBFを選択する理由:
選択するIRFR9120NTRPBF使用していることを確認します.高品質のPチャネルMOSFETと優れた性能と信頼性このコンポーネントは,あなたの電子システムの効率性と機能性を向上させ,効果的な切り替えそして低電阻.
電子機器の設計を最適化し 優れた性能と信頼性を保証するために 今日からIRFR9120NTRPBFを購入してください!
連絡先:
詳細情報や技術サポートについては,インフィニオン・テクノロジーズのウェブサイトを訪れ,顧客サービスチームに連絡してください.彼らは,あなたが必要とするすべての問い合わせやサポートであなたを助けるために利用できます.
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BFP420H6327XTSA1 インフィニオン NPN シリコンRFトランジスタ
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IRF9328TRPBF インフィニオン シングルPチャネルHEXFET パワーMOSFET
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IRFR220NTRPBF インフィニオン シングルNチャネルIR MOSFET
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IRLML2060TRPBF インフィニオン シングルNチャネルヘックスフェット パワーモスフェット
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IRF540NSTRRPBF インフィニオン IR MOSFET 100 V D2PAK パッケージ
イメージ | 部分# | 記述 | |
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BFP420H6327XTSA1 インフィニオン NPN シリコンRFトランジスタ |
BFP420H6327XTSA1 BFP420 Overview Parametrics Documents Order Design Support Packaging Support NPN Silicon RF Transist
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IRF9328TRPBF インフィニオン シングルPチャネルHEXFET パワーMOSFET |
IRF9328TRPBF IRF9328 30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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IRFR220NTRPBF インフィニオン シングルNチャネルIR MOSFET |
IRFR220NTRPBF IRFR220N 200V Single N-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
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IRLML2060TRPBF インフィニオン シングルNチャネルヘックスフェット パワーモスフェット |
IRLML2060TRPBF IRLML2060 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package
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IRF540NSTRRPBF インフィニオン IR MOSFET 100 V D2PAK パッケージ |
IRF540NSTRRPBF IRF540NS 100V33A IR MOSFET
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