IRFR220NTRPBF インフィニオン シングルNチャネルIR MOSFET
指定
タイプ:
N-Channel MOSFET
下水管源の電圧（VDS）:
200V
連続的な下水管の流れ（ID）:
8.2A
ゲートの境界の電圧（Vgs （Th））:
2Vから4V
ゲート・ソースの最大電圧 (Vgs):
±20V
オン抵抗（RDS （））:
0.55Ω Vgs = 10V
総ゲート充満（Qg）:
20nC
パッケージの種類:
DPAK (TO-252)
動作温度範囲:
-55°Cへの+175°C
準拠性:
ローズ・コンパイル
導入
部分番号: IRFR220NTRPBF
製品概要:についてIRFR220NTRPBF高性能なNチャネルMOSFETこのコンポーネントは,効率的なスイッチ,低電阻,コンパクトなパッケージで高速性能を必要とするアプリケーションのために設計されています.
主要な特徴:
- タイプ: NチャネルMOSFET
- 排気源電圧 (Vds): 200V
- 連続流出電流 (Id): 8.2A
- ゲートスリージングル電圧 (Vgs ((th)): 2Vから4V
- ゲート・ソース最大電圧 (Vgs): ±20V
- オンレジスタンス (Rds ((オン)): 0.55Ω Vgs = 10V
- 総ゲートチャージ (Qg): 20nC
- パッケージタイプ: DPAK (TO-252)
- 動作温度範囲: -55°Cから+175°C
- 準拠性 RoHS に準拠する
適用分野:
- アプリケーションを切り替える:高速スイッチ回路で使用するのに最適です.
- 負荷スイッチ:低電阻と効率的な負荷切り替えを必要とするアプリケーションに適しています.
- DC-DCコンバーター:効率の向上のために電源変換回路で使用されます
- モータードライブ:モーター制御アプリケーションで信頼性の高いパフォーマンスを提供します
- バッテリー管理:バッテリー駆動デバイスの効率的なバッテリー使用と保護を保証します.
設置と使用:
についてIRFR220NTRPBFDPAK (TO-252) パッケージは,コンパクトな表面マウント技術 (SMT) を印刷回路板 (PCB) にマウントすることを可能にします.性能 と 信頼性 を 最大限 に 高める ため に,適切に 操作 し,設置 する こと が 必要 です.
IRFR220NTRPBFを選択する理由:
選択するIRFR220NTRPBF使用していることを確認します.高品質のNチャンネルMOSFETと優れた性能と信頼性このコンポーネントは,あなたの電子システムの効率性と機能性を向上させ,効果的な切り替えそして低電阻.
電子機器の設計を最適化し 優れた性能と信頼性を保証するために 今日からIRFR220NTRPBFを購入してください!
連絡先:
詳細情報や技術サポートについては,インフィニオン・テクノロジーズのウェブサイトを訪れ,顧客サービスチームに連絡してください.彼らは,あなたが必要とするすべての問い合わせやサポートであなたを助けるために利用できます.
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