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IRLML2060TRPBF インフィニオン シングルNチャネルヘックスフェット パワーモスフェット

メーカー:
インフィニオン・テクノロジーズ
記述:
IRLML2060TRPBF IRLML2060 60V シングルNチャネルHEXFET パワーMOSFET マイクロ3パッケージ
部門:
電子半導体
内部在庫:
100000
Infineon-IRLML2060-DataSheet-v01_01-EN.pdf
指定
タイプ:
N-Channel MOSFET
下水管源の電圧(VDS):
20V
ゲートの境界の電圧(Vgs (Th)):
1Vから3V
ゲート・ソースの最大電圧 (Vgs):
±12V
オン抵抗(RDS ()):
0.025Ω Vgs = 4.5V
総ゲート充満(Qg):
10nC
パッケージの種類:
SOT-23
動作温度範囲:
-55°Cへの+150°C
準拠性:
ローズ・コンパイル
導入

部分番号: IRLML2060TRPBF


製品概要:についてIRLML2060TRPBF高性能なNチャネルMOSFETこのコンポーネントは,効率的なスイッチ,低電阻,コンパクトなパッケージで高速性能を必要とするアプリケーションのために設計されています.


主要な特徴:

  1. タイプ: NチャネルMOSFET
  2. 排気源電圧 (Vds): 20V
  3. 連続流出電流 (Id): 6.3A
  4. ゲートスリージングル電圧 (Vgs ((th)): 1Vから3V
  5. ゲート・ソース最大電圧 (Vgs): ±12V
  6. オンレジスタンス (Rds ((オン)): 0.025Ω Vgs = 4.5V
  7. 総ゲートチャージ (Qg): 10nC
  8. パッケージタイプ: SOT-23
  9. 動作温度範囲: -55°Cから+150°C
  10. 準拠性 RoHS に準拠する

適用分野:

  • アプリケーションを切り替える:高速スイッチ回路で使用するのに最適です.
  • 負荷スイッチ:低電阻と効率的な負荷切り替えを必要とするアプリケーションに適しています.
  • DC-DCコンバーター:効率の向上のために電源変換回路で使用されます
  • モータードライブ:モーター制御アプリケーションで信頼性の高いパフォーマンスを提供します
  • バッテリー管理:バッテリー駆動デバイスの効率的なバッテリー使用と保護を保証します.

設置と使用:

についてIRLML2060TRPBF電子回路に簡単に組み込めるように設計されている.SOT-23パッケージは,圧縮式表面マウント技術 (SMT) を印刷回路板 (PCB) に組み込むことが可能である.性能 と 信頼性 を 最大限 に 高める ため に,適切に 操作 し,設置 する こと が 必要 です.


IRLML2060TRPBFを選択する理由:

選択するIRLML2060TRPBF使用していることを確認します.高品質のNチャンネルMOSFET優れた性能と信頼性このコンポーネントは,あなたの電子システムの効率性と機能性を向上させ,効果的な切り替えそして低電阻.

電子機器の設計を最適化し 優れた性能と信頼性を保証するために 今からIRLML2060TRPBFを購入してください


連絡先:

詳細情報や技術サポートについては,インフィニオン・テクノロジーズのウェブサイトを訪れ,顧客サービスチームに連絡してください.彼らは,あなたが必要とするすべての問い合わせやサポートであなたを助けるために利用できます.

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