指定
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
利益::
11 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
19 W
Package / Case ::
QFN-20
最大動作温度::
+225C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
パッケージ::
トレー
Id - Continuous Drain Current ::
1.3 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Pd - Power Dissipation ::
33 W
Manufacturer ::
Qorvo
導入
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標準的:
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