指定
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Pd - Power Dissipation ::
86 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - 排水源断熱電圧::
32ボルト
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
145 V
Id - Continuous Drain Current ::
7.32 A
Vgs - ゲート・ソースの断熱電圧::
- 2.9V
Manufacturer ::
Qorvo
導入
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標準的:
MOQ: