TGF2160
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メーカー:
Qorvo
記述:
RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
部門:
電子半導体
指定
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 7 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
10.4 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
5.6 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
12 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
517 mA
Manufacturer ::
Qorvo
導入
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標準的:
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