NPTB00004A
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メーカー:
MACOM
記述:
RF JFET トランジスタ DC-6.0GHz 5W 増幅 16dB GaN HEMT
部門:
電子半導体
指定
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
16 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
11.6 W
Package / Case ::
SOIC
最大動作温度::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2 mA
Vgs - ゲート・ソースの断熱電圧::
3mA
Manufacturer ::
MACOM
導入
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| イメージ | 部分# | 記述 | |
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