指定
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 12 V
テクノロジー:
Gaas
Product Category ::
RF JFET Transistors
利益::
11 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
4.2 W
Package / Case ::
Die
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
194 mA
Manufacturer ::
Qorvo
導入
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標準的:
MOQ: