QPD1008L
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メーカー:
Qorvo
記述:
RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
部門:
電子半導体
指定
トランジスタの極性::
Nチャンネル
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
利益::
17.5 dB
Transistor Type ::
HEMT
出力::
162W
Package / Case ::
NI-360
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
127 W
Manufacturer ::
Qorvo
導入
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