A3T19H455W23SR6
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メーカー:
NXP USA Inc.
記述:
RF Power Discrete Transistors
部門:
電子半導体
指定
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
16.4
Avg Power (W) ::
81
Frequency Min (GHz) ::
1.93
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
1.99
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
導入
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